變壓器可控硅西門子6SY8102-0GD30可控硅廠家 免費發布可控硅信息

                        西門子6SY8102-0GD30可控硅廠家

                        更新時間:2022-12-07 08:28:15 編號:fd2pqsd1057884
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                        • 可控硅,晶閘管

                        • 陳輝

                        • 13950970349

                        • 3年

                        產品詳情

                        關鍵詞
                        可控硅廠家,可控硅廠家,可控硅廠家,可控硅廠家
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                        西門子6SY8102-0GD30可控硅廠家

                        大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說的普通晶閘管,它是由四層半導體材料組成的,有三個PN結,對外有三個電極〔圖2(a)〕:層P型半導體引出的電極叫陽極A,三層P型半導體引出的電極叫控制極G,四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2(b)〕可以看到,它和二極管一樣是一種單方向導電的器件,關鍵是多了一個控制極G,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。

                        在性能上,可控硅不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元件(俗稱"死硅")更為可貴的可控性.它只有導通和關斷兩種狀態。
                        可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備,如果超過此功率,因元件開關損耗顯著增加,允許通過的平均電流相降低,此時,標稱電流應降級使用。

                        可控硅的優點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍;反應極快,在微秒級內開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪音;,成本低等等。

                        可控硅的主要參數有:電壓、電壓、平均值。
                        1、 額定通態平均電流IT在一定條件下,陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。
                        2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發信號,陽極正向電壓還未超過導能電壓時,可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓??煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯?,不能超過手冊給出的這個參數值。
                        3、 反向阻斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓,處于反向關斷狀態時,可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時,不能超過手冊給出的這個參數值。
                        4、 控制極觸發電流Ig1 、觸發電壓VGT在規定的環境溫度下,陽極---陰極間加有一定電壓時,可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的小控制極電流和電壓。
                        5、 維持電流IH在規定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世,如適于高頻應用的快速可控硅,可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅,可以用正觸發信號使其導通,用負觸發信號使其關斷的可控硅等等。
                        主要參數
                        電流
                        ⒈ 額定通態電流(IT)即大穩定工作電流,俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。
                        ⒉反向重復峰值電壓(VRRM)或斷態重復峰值電壓(VDRM),俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。
                        ⒊ 控制極觸發電流(IGT),俗稱觸發電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。
                        4,在規定環境溫度和散熱條件下,允許通過陰極和陽極的電流平均值
                        常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220ABC、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252、SOT-23、SOT23-3L等。
                        可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種,螺旋式的應用較多??煽毓栌腥齻€電極---陽極(A)陰極(C)和控制極(G)。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構,共有三個PN結??煽毓韬椭挥幸粋€PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同??煽毓璧乃膶咏Y構和控制極的引用,為其發揮"以小控大"的控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時,只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽極電流或電壓。電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。
                        在處于截止狀態的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個小于它的VDFM的高速變化的電壓時,內部電容的電流會產生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導通。這在高溫下尤為嚴重,在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT,或可采用高速可控硅(晶閘管)。
                        可控硅這種通過觸發信號(小的觸發電流)來控制導通(可控硅中通過大電流)的可控特性,正是它區別于普通硅整流二極管的重要特征。

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